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MCR（磁控電抗器）簡介

產(chǎn)品詳情

MCR技術(shù)原理

MCR是利用附加直流電流勵(lì)磁磁化電抗器鐵心,通過調(diào)節(jié)鐵心的磁飽和程度,改變鐵心的磁導(dǎo)率,實(shí)現(xiàn)電抗值連續(xù)可調(diào)。在磁路結(jié)構(gòu)即電抗器鐵芯芯柱上(結(jié)構(gòu)見右圖),設(shè)置了由不飽和區(qū)域鐵芯1和飽和區(qū)域鐵芯2交錯(cuò)排列組成并聯(lián)磁路;不飽和區(qū)域鐵芯1吸收主磁通方向前后相鄰或左右相鄰的飽和區(qū)域鐵芯2的漏磁通而形成漏磁自屏蔽;調(diào)節(jié)繞組3回路中可控硅4的觸發(fā)導(dǎo)通角,控制附加直流勵(lì)磁電流而勵(lì)磁磁化鐵芯;通過調(diào)整不飽和區(qū)域鐵芯和飽和區(qū)域鐵芯的面積或磁阻,改變并聯(lián)磁路

中不飽和區(qū)域鐵芯的磁化程度和飽和區(qū)域鐵芯的飽和程度,實(shí)現(xiàn)電抗值的連續(xù)、快速可調(diào)。

MCR技術(shù)特點(diǎn)

MCR在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)等方面,在采用磁路并聯(lián)漏磁自屏蔽技術(shù)的同時(shí),綜合應(yīng)用了大型變壓器、超/特高壓互感器、高壓電容器、電力電子控制等先進(jìn)制造技術(shù)。例如:鐵芯采用磁密不飽和、對稱分裂、交/值流磁路獨(dú)立等設(shè)計(jì)方法;繞組采用自耦式、串并聯(lián)連接、結(jié)構(gòu)對稱等設(shè)計(jì)方法;在整體結(jié)構(gòu)方面采用全密封、免維護(hù)等設(shè)計(jì)和制造工藝術(shù)。通過這些技術(shù)措施,有效地減少了MCR自身的損耗、噪聲和諧波含量,使MCR實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量可靠、成本低性能先進(jìn)、制造工藝成熟、運(yùn)行穩(wěn)定、免維護(hù)。MCR各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)、技術(shù)特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)措施,見下表